全球首颗！复旦团队成功研发全新架构闪存芯片

大数据与人工智能时代，对数据加载速度的要求越来越高。采用易失性存储器，速度快但容量小、功耗高；采用非易失性闪存，容量够但速度慢。

未来，这一算力发展瓶颈有望得到突破，复旦大学研发的全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片公布，相关研究成果发布在《自然》期刊上。

随着硅作为原材料的芯片工艺不断逼近物理极限，二维半导体作为下一代关键材料，近年来获得诸多关注。

今年4月，复旦大学团队发表了全球首款基于二维半导体材料的闪存原型器件“破晓”，存储速度比传统闪存快100万倍，但与硅材料纳米级别的工艺相比，二维半导体厚度仅为1-3个原子，相当于不到1纳米，制造工艺难度要求极高，如何实现其与现有硅基工艺平台的集成，又不破坏其性能，成为该技术未来能否大规模应用的核心问题。

为了找到这条“正确的路”，团队前期经历了5年的探索试错，最终通过创新核心工艺，实现了二维材料与硅基电路的紧密贴合，芯片集成良率高达94.3%，远超集成电路制造89%良品率的优异线，攻克了二维信息器件工程化的关键难题，率先实现全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片，性能“碾压”目前的Flash闪存技术，也就是说在人工智能领域紧缺的显存，未来有望直接用二维闪存芯片来代替，成本、功耗将远小于当前。

团队下一步计划建立实验基地，与相关机构合作，用3-5年时间将项目集成到兆量级水平。