大数据与人工智能时代对数据加载速度提出更高要求，而传统存储技术面临速度与持久性难以兼顾的瓶颈，这一困境有望被打破。10月8日，复旦大学科研团队宣布成功研发出全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片，相关成果发表于国际权威期刊《自然》。

主流CMOS工艺芯片表面看似平整，实则微观起伏显著，如同从太空俯瞰上海，细节处高低错落，二维半导体如同一层薄膜覆盖其上，如何使其适应硅基表面的不平整度，是技术落地的关键难点

历经五年探索，复旦大学周鹏与刘春森团队通过器件设计与集成工艺的协同优化，最终实现二维材料与CMOS衬底在原子级尺度的紧密贴合，芯片良率突破94%，远超集成电路制造89%的行业基准。该芯片作为全球首个二维-硅基混合架构闪存，性能已超越当前主流闪存技术，标志着混合架构从理论迈入工程化阶段。

今年4月，复旦大学周鹏与刘春森团队已在《自然》发表“破晓”二维闪存原型器件研究，实现400皮秒超高速非易失存储，创下半导体电荷存储技术的最快纪录，为算力提升奠定底层原理基础。然而，从原理突破到规模化生产，仍是团队亟需攻克的核心挑战。

目前，团队已完成从基础研究到工程应用的关键跨越，下一步将建立实验基地，联合产业机构推进自主主导的工程化项目，计划在3至5年内实现兆量级集成目标。