日前，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室周鹏、刘春森团队成功研制“破晓”闪存器件，擦写速度达到400皮秒，比传统闪存的擦写速度快100万倍，是人类迄今掌握的最快半导体电荷存储器件。北京时间4月16日晚，相关成果发表于国际顶尖期刊《自然》。

团队基于器件物理机制的创新，持续推进高速非易失性闪存技术的研发。通过巧妙结合二维狄拉克能带结构与弹道输运特性，调制二维沟道的高斯长度，从而实现沟道电荷向存储层的超注入。这一超注入机制与现有闪存电场辅助注入规律截然不同：传统注入规律存在注入极值点，而超注入则表现为无限注入。团队构建了准二维高斯模型，成功从理论上预测了超注入现象，并据此研制“破晓（PoX）”皮秒闪存器件，其性能超越同技术节点下世界最快的易失性存储SRAM技术。“破晓”存储器件的稳定性高度依赖工艺流程的一致性。通过AI算法对工艺测试条件实现科学优化，极大推动技术创新与落地。

二维超注入机制将非易失存储速度提升至～1T的理论极限，标志着现有存储技术边界将被重新定义。闪存作为性价比最高、应用最广泛的存储器，一直是国际科技巨头技术布局的基石。团队研发的突破性高速非易失闪存技术，不仅有望改变全球存储技术格局，进而推动产业升级并催生全新应用场景，还为我国在相关领域实现技术引领提供强有力支撑。