“韬定律”能否彻底摆脱光刻机束缚？

5月25日，上海国际电路与系统研讨会上，华为发布半导体领域全新发展准则——韬（τ）定律。这也是中国第一次，在全球半导体行业拿出具备指导性的全新技术演进原则。

华为预判，到2031年，依托韬定律打造的高端芯片，晶体管密度能对标1.4纳米先进制程。这也意味着，半导体产业有望跳出对EUV极紫外光刻机的极致依赖，不靠传统制程迭代，也能冲刺高端芯片性能。

特约评论员项立刚表示，芯片发展的核心，从来不是一味追赶先进制程，而是全方位提升综合性能，主要分为两点：一是提升运算主频，强化计算能力；二是降低运行功耗，优化能效表现。

业内常说的3纳米、1.8纳米、1.4纳米制程，只是实现芯片速度、功耗标准的工艺手段。而韬定律最大的突破，就是跳出了传统几何缩微的老路。通过时间缩微、逻辑折叠等新技术，在现有成熟制程基础上，就能跑出1.4纳米级别的运算速度、性能与能效。

同时项立刚也强调，这套新技术路径并非彻底抛弃光刻机。韬定律的落地，依旧需要现有光刻设备做基础工艺支撑，保障芯片基础微型化。长远来看，光刻机技术的迭代突破，依旧是完善半导体全产业链、持续精进芯片制程的关键。