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王琛入选2023年度《麻省理工科技评论》“TR35”

2024-07-11 20:10:24 看看新闻Knews综合

王琛在业内率先提出了原子层半导体分子超晶格新材料体系，为攻克新型高性能半导体器件研制的材料瓶颈提出全新的解决方案。面对后摩尔时代芯片互联材料在纳米尺度的强量子效应，王琛发展了适用于后摩尔芯片纳米尺度互联新材料体系和工艺方案。在芯片器件三维高密度集成领域，他通过发展新型的中间结层设计和工艺方案，突破了器件三维集成的层级限制和领域商业化瓶颈。此外，他通过发展高度可集成的硅通孔材料和工艺，实现了晶圆级多模式的立体多源异构集成微系统芯片的技术突破。

入选理由：从“原理-材料-器件-集成-芯片”五个维度开展芯片硬科技基础问题探索和技术图谱绘制，基于新材料研发全适配器件，高效推动后摩尔芯片的突破。

编辑：	方哲敏
责编：	张纯歆

关键词： 2024中国科技青年论坛

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